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PDTA113EK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTA113EK
廠商型號(hào)

PDTA113EK

參數(shù)屬性

PDTA113EK 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

絲印標(biāo)識(shí)

17

封裝外殼

SC-59A / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

235.87 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 19:20:00

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PDTA113EK規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTA113EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 40mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 1.5mA,30mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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