PDTA113EM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PDTA113EM |
參數(shù)屬性 | PDTA113EM 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW |
封裝外殼 | 3-XFDFN |
文件大小 |
121.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-18 23:00:00 |
人工找貨 | PDTA113EM價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PDTA113EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 40mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 1.5mA,30mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
NA |
30000 |
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詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原廠原封可拆樣 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
690000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
10990 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT-883 |
115000 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
NA |
35000 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Nexperia USA Inc. |
2022+ |
DFN1006B-3 |
38550 |
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詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-883 |
60000 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) |