PDTA113EM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTA113EM |
| 參數(shù)屬性 | PDTA113EM 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | SC-101 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
235.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-26 9:30:00 |
PDTA113EM規(guī)格書詳情
Features
* Built-in bias resistors
* Simplifies circuit design
* Reduces component count
* Reduces pick and place costs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTA113EMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 40mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 1.5mA，30mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
8900 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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NXP/恩智浦 |
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