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PDTA114YS	文件：92.59 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114YS	文件：181.48 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA114YS,126	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PDTA114YT	文件：50.84 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114YT	文件：92.59 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114YT	文件：181.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=47k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA114YT	文件：1.5354 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=47k? Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YT	文件：863.35 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=47k? Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YU	文件：92.59 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PDTA114YS
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市易訊博科技有限公司	PDTA114YS,126	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
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