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PDTA115EMB	文件：960.46 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：3-XFDFN 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115ES	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA115ES	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA115ES	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115ES	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115ET	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA115ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA115ET	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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PDTA115ET	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EU	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PDTA115EU	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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PDTA115T	文件：110.18 Kbytes Page：17 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Generaldescription PNPresistor-equippedtransistors. Features ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Inverterandinterfacecircuits ■Circuitdrivers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA115T	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115T_SER	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA115TE	文件：110.18 Kbytes Page：17 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Generaldescription PNPresistor-equippedtransistors. Features ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Inverterandinterfacecircuits ■Circuitdrivers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
PDTA115EMB
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor
Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
-50V; Transition Frequency Typ
ft：
180MHz; Power Dissipation
Pd：
250mW; DC Collector
Current：
-20mA; DC Current Gain
hFE：
80; Operating ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳兆威電子有限公司	PDTA115EMB	Nexperia/安世	22+	SOT883B	300000	原廠原裝正品現(xiàn)貨	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	PDTA115EMB	NEXPERIA/安世	2021+	SOT883B	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
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深圳市易訊博科技有限公司	PDTA115EMB,315	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
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深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	PDTA115EMB,315	Nexperia(安世)	23+	SOT8833	6000	誠信服務(wù)，絕對原裝原盤	詢價
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深圳市雙美芯科技有限公司	PDTA115EMB,315	Nexperia(安世)	23+	SOT-883-3	7087	Nexperia安世原裝現(xiàn)貨庫存,原廠技術(shù)支持!	詢價
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更多PDTA115EMB供應(yīng)商更新時間2024-11-15 16:20:00

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