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PDTA123J	文件：181.7 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=47k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123J	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k?,R2=47k? Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA123J_SER	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k?,R2=47k? Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA123JE	文件：66.77 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123JE	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PDTA123JE	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k?,R2=47k? Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA123JEF	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123JEF	文件：49.13 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123JEF	文件：181.7 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=47k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

詳細(xì)參數(shù)

型號：
PDTA123EU T/R
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

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