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PDTC114E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDTC114E
廠商型號(hào)

PDTC114E

參數(shù)屬性

PDTC114E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

功能描述

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

92.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-8 22:58:00

PDTC114E規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NPN resistor-equipped transistor

FEATURES

? Built-in bias resistors

? Simplified circuit design

? Reduction of component count

? Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

? General purpose switching and amplification

? Inverter and interface circuits

? Circuit driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTC114EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP
2016+
SOT-23
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)
PHSSEMICONDUCTOR
2020+
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NXP
23+
SOT23-3
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原廠原裝正品現(xiàn)貨
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PHI
00+
SOT23
500
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23+
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全新原裝現(xiàn)貨
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PHILIPS/飛利浦
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NXP
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