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PDTC114ET分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC114ET
廠商型號

PDTC114ET

參數(shù)屬性

PDTC114ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

功能描述

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

絲印標識

-16

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

92.9 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 10:45:00

PDTC114ET規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN resistor-equipped transistor

FEATURES

? Built-in bias resistors

? Simplified circuit design

? Reduction of component count

? Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

? General purpose switching and amplification

? Inverter and interface circuits

? Circuit driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTC114ET,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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