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PDTC115ES	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC115ES	文件：188.86 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 NPNresistorequippedtransistor PDTC115EESOT416 PDTC115EEFSOT490 PDTC115EKSOT346 PDTC115EMSOT883 PDTC115ESSOT54(TO-92) PDTC115ETSOT23 PDTC115EUSOT323 ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?R	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTC115ES	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC115ES	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTC115ES	文件：93.58 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC115ES,126	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTC115ET	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PDTC115ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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詳細參數(shù)

型號：
PDTC115ES
功能描述：
開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市安羅世紀電子有限公司	PDTC115ES	PHILIPS	2023+	SMD	22000	安羅世紀電子只做原裝正品貨	詢價
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	PDTC115ES,126	NXP USA Inc.	2022+	TO-92-3	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
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更多PDTC115ES供應商更新時間2024-11-15 13:30:00

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