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PDTC115TE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC115TE
廠商型號(hào)

PDTC115TE

參數(shù)屬性

PDTC115TE 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

78.67 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-21 22:58:00

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PDTC115TE規(guī)格書詳情

General description

NPN resistor-equipped transistors.

Features

■ Built-in bias resistor

■ Reduces component count

■ Simplifies circuit design

■ Reduces pick and place costs

Applications

■ General-purpose switching and amplification

■ Circuit drivers

■ Inverter and interface circuits

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTC115TE,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-75

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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