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PDTD113EK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD113EK
廠商型號

PDTD113EK
參數(shù)屬性

PDTD113EK 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
絲印標(biāo)識

E1
封裝外殼

SC-59A / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

245.79 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00
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PDTD113EK規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* 500 mA output current capability

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDTD113EK,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    33 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 2.5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SMT3; MPAK

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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