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PDTD123EK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD123EK
廠商型號

PDTD123EK

參數(shù)屬性

PDTD123EK 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

功能描述

Low VCEsat (BISS) transistors

絲印標(biāo)識

E3

封裝外殼

SOT-346 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

948.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-19 18:43:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTD123EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
1512+
SOT23
1770
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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