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PE29102A-X集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PE29102A-X
廠商型號(hào)

PE29102A-X
參數(shù)屬性

PE29102A-X 封裝/外殼為模具；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
功能描述

UltraCMOS? High-speed FET Driver, 40 MHz
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
封裝外殼

模具
文件大小

2.77785 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 pSemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PSEMI

中文名稱

pSemi Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-5 16:42:00

PE29102A-X規(guī)格書(shū)詳情

PE29102A-X屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由pSemi Corporation制造生產(chǎn)的PE29102A-X柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Features

? High- and low-side FET drivers

? Dead-time control

? Fast propagation delay, 9 ns

? Tri-state enable mode

? Sub-nanosecond rise and fall time

? 2A/4A peak source/sink current

? Package – flip chip

Applications

? Class D audio

? DC–DCconversions

? AC–DC conversions

? Wireless charging

? Envelope tracking

? LiDAR

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PE29102A-X

  • 制造商：

    pSemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4V ~ 6V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.6V，1.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，4A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    900ps，900ps

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
pSemi
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