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PESD3V3S2UT電路保護(hù)的TVS-二極管規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PESD3V3S2UT |
| 參數(shù)屬性 | PESD3V3S2UT 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為電路保護(hù)的TVS-二極管；PESD3V3S2UT應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB |
| 功能描述 | Double ESD protection diodes in SOT23 package |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
235.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-24 14:58:00 |
| 人工找貨 | PESD3V3S2UT價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PESD3V3S2UT規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Uni-directional double ESD protection diodes in a SOT23 plastic package. Designed to protect up to two transmission or data lines from ElectroStatic Discharge (ESD) damage.
FEATURES
? Uni-directional ESD protection of up to two lines
? Max. peak pulse power: Ppp = 330 W at tp = 8/20 μs
? Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 18 A
? Ultra-low reverse leakage current: IRM < 700 nA
? ESD protection > 23 kV
? IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
? IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 18 A at tp = 8/20 μs.
APPLICATIONS
? Computers and peripherals
? Communication systems
? Audio and video equipment
? High speed data lines
? Parallel ports.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PESD3V3S2UT/ZLR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
電路保護(hù) > TVS - 二極管
- 包裝：
散裝
- 類型：
齊納
- 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：
3.3V（最大）
- 電壓 - 擊穿（最小值）：
5.2V
- 不同 Ipp 時電壓 - 箝位（最大值）：
20V
- 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：
18A（8/20μs）
- 功率 - 峰值脈沖：
330W
- 電源線路保護(hù)：
無
- 應(yīng)用：
通用
- 不同頻率時電容：
207pF @ 1MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
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