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PH3134-30S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PH3134-30S
廠商型號

PH3134-30S

參數(shù)屬性

PH3134-30S 包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 65V

功能描述

Radar Pulsed Power Transistor 30W, 3.1-3.4 GHz, 1關(guān)s Pulse, 10 Duty

文件大小

100.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企業(yè)簡稱

MA-COM

中文名稱

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-6 17:25:00

PH3134-30S規(guī)格書詳情

Features

? NPN silicon microwave power transistors

? Common base configuration

? Broadband Class C operation

? High efficiency inter-digitized geometry

? Diffused emitter ballasting resistors

? Gold metallization system

? Internal input and output impedance matching

? Hermetic metal/ceramic package

? RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PH3134-30S

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    65V

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    30W

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    3.6A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V

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