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PH3135-65M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PH3135-65M
廠商型號(hào)

PH3135-65M
參數(shù)屬性

PH3135-65M 包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V
功能描述

Radar Pulsed Power Transistor, 65 Watts, 3.10-3.50 GHz, 100 us Pulse, 10 Duty
RF TRANS NPN 65V
文件大小

228.9 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Tyco Electronics
企業(yè)簡稱

MACOM

中文名稱

Tyco Electronics官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-26 17:30:00

PH3135-65M規(guī)格書詳情

Features

■ NPN Silicon Microwave Power Transistor

■ Common Base Configuration

■ Broadband Class C Operation

■ High Efficiency Interdigitated Geometry

■ Gold Metalization System

■ Internal Input and Output Impedance Matching

■ Hermetic Metal/Ceramic Package

PH3135-65M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。Tyco Electronics制造生產(chǎn)的PH3135-65M晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PH3135-65M

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 增益：

    8.23dB ~ 9.09dB

  • 功率 - 最大值：

    65W

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    7.7A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V

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