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PHB108NQ03LT中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHB108NQ03LT
廠商型號

PHB108NQ03LT

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

345.15 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 15:38:00

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PHB108NQ03LT規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·Switch-mode Power Supplies

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHB108NQ03LT

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    TrenchMOS logic level FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
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