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PHD12N10E中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHD12N10E
廠商型號(hào)

PHD12N10E

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 17:08:00

PHD12N10E規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHD12N10E

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    PowerMOS transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VBsemi/臺(tái)灣微碧
SOT428(D
39099
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