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PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX1N50E	文件：24.87 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionfoPHP1N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RM1N50	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V6Wfullvoltagefilamentlampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：208.82 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V50Wfullvoltagefloodlightsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：214.26 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V10Wfullvoltagebulblampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
SSI1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP1N50A	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP1N50B	文件：629.48 Kbytes Page：8 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP1N50B	文件：279.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSR1N50A	文件：321.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSR1N50A	文件：1.08835 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSR1N50A	文件：265.7 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ■LowerRDS(ON):4.046Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSR1N50B	文件：634.92 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSR1N50B	文件：1.08828 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSS1N50A	文件：264.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU1N50A	文件：345.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU1N50A	文件：265.7 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ■LowerRDS(ON):4.046Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSU1N50B	文件：634.92 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW1N50A	文件：1.1032 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSW1N50B	文件：1.10311 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華來深電子有限公司	PHD1N50E	NXP	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	PHD1N60E	N	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	PHD1N60E	N	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	PHD1N60E	N	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	PHD1N60E	PHILIPS/飛利浦	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	PHD1N60E	PHILIPS/飛利浦	23+	TO-252	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	PHD1N60E	N	22+	TO-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PHD1N60E	N	24+	TO-252	37650	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	PHD1N60EMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	PHILIPS/飛利浦	22+	SOT252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	PHD-2*10A		24+	N/A	65000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)

更多PHD1N50E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 14:11:00

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