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PHD20N06T中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHD20N06T
廠商型號(hào)

PHD20N06T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

299.01 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 18:34:00

PHD20N06T規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 77mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHD20N06T

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    N-channel TrenchMOS standard level FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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