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PHD3055E中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD3055E
廠商型號(hào)

PHD3055E

功能描述

PowerMOS transistor

文件大小

72.46 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-10-25 19:29:00

PHD3055E規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

? ’Trench’technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHD3055E

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    N-channel TrenchMOS transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PHI
20+
SOT252
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