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PHPT60610NY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PHPT60610NY
廠商型號

PHPT60610NY

參數(shù)屬性

PHPT60610NY 封裝/外殼為SC-100,SOT-669;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 10A LFPAK56 PWRSO8

功能描述

60 V, 10 A NPN high power bipolar transistor

文件大小

271.47 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 18:28:00

PHPT60610NY規(guī)格書詳情

1. General description

NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power

plastic package.

PNP complement: PHPT60610PY

2. Features and benefits

? High thermal power dissipation capability

? High temperature applications up to 175 °C

? Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified.

3. Applications

? Power management

? Load switch

? Linear mode voltage regulator

? Backlighting applications

? Motor drive

? Relay replacement

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PHPT60610NYX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    360mV @ 1A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    240 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-100,SOT-669

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A LFPAK56 PWRSO8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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