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PHPT61010PY-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHPT61010PY-Q
廠商型號

PHPT61010PY-Q

功能描述

100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor

絲印標識

1010PAB

封裝外殼

SOT669

文件大小

281.36 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 23:00:00

PHPT61010PY-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power

plastic package.

NPN complement: PHPT61010NY-Q

2. Features and benefits

? High thermal power dissipation capability

? Suitable for high temperature applications up to 175 °C

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

? High energy efficiency due to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management

? Load switch

? Linear mode voltage regulator

? Backlighting applications

? Motor drive

? Relay replacement

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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