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PHT11N06LT中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHT11N06LT
廠商型號

PHT11N06LT

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

文件大小

69.16 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 22:30:00

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PHT11N06LT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHT11N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWRMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
2020+
SOT-223
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