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PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPSH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

詳細參數(shù)

型號：
PHT6N03T
制造商：
PHILIPS
制造商全稱：
NXP Semiconductors
功能描述：
TrenchMOS transistor Standard level FET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市金華微盛電子有限公司	PHT6N03T	NEXPERIA/安世	2019+	SOT-223	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價
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深圳市中福國際管理有限公司	PHT6N03T	NEXPERIA/安世	23+	SOT-223	1000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
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