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PHT8N06LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHT8N06LT
廠商型號

PHT8N06LT

功能描述

TrenchMOS? transistor Logic level FET

文件大小

171.36 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-20 17:08:00

PHT8N06LT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic

level field-effect power transistor in a

plastic envelope suitable for surface

mounting. The device features very

low on-state resistance and has

integral zener diodes giving ESD

protection. It is intended for use in

DC-DC converters and general

purpose switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHT8N06LT

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET N SOT-223

  • 功能描述:

    MOSFET, N, SOT-223

  • 功能描述:

    MOSFET, N, SOT-223; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    7.5A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    55V; On Resistance

  • Rds(on):

    80mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    5V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    1.5V; Power Dissipation

  • Pd:

    8.3W; ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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