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PJP60R190E

600V N-Channel Super Junction MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@10A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

PJP60R190E_T0_00001

Marking：60R190E；Package：TO-220AB；600V N-Channel Super Junction MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@10A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

60R190D

600VCoolGaN?enhancement-modePowerTransistor

Features ?Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch ?Ultrafastswitching ?Noreverse-recoverycharge ?Capableofreverseconduction ?Lowgatecharge,lowoutputcharge ?Superiorcommutationruggedness ?QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

60R190P

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

BRF60R190

N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

IPAW60R190CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

600VCoolMOSaCEPowerTransistor Applications ??PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages ??fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMF60R190P

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF60R190PTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MMF60R190PTH

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF60R190Q

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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PANJIT/ 強茂
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PANJIT/ 強茂
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更多PJP60R190E供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 11:06:00

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