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PJW5P06A

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-5A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

PJW5P06A_R2_00001

Marking：W5P06A；Package：SOT-223；60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-5A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

PJW5P06A-AU

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@4A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

EMBA5P06J

P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐60V RDSON(MAX.)150mΩ ID‐2.2A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMBA5P06P

P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐60V RDSON(MAX.)150mΩ ID‐2.4A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

LG5P06

HighPowerandcurrenthandingcapability

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MTD5P06E

TMOSPOWERFET5.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.55OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorsDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD5P06V

PowerMOSFET5Amps,60VoltsP??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD5P06V

TMOSPOWERFET5AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.450OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP5P06V

P??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多PJW5P06A供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 10:34:00

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