PMBFJ111分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PMBFJ111 |
參數(shù)屬性 | PMBFJ111 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
130 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-2 23:00:00 |
PMBFJ111規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PMBFJ111,215
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝:
散裝
- FET 類型:
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):
6pF @ 10V(VGS)
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23(TO-236AB)
- 描述:
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
NA/ |
740 |
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NXP(恩智浦) |
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23+ |
SOT-23 |
60000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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PHILIPS/飛利浦 |
SOT-23 |
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PHILIPS |
22+ |
SOT23 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
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NXP |
17+ |
SOT-23 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
NXP |
24+ |
3000 |
詢價 | ||||
NXP USA Inc. |
2022+ |
SOT-23(TO-236AB) |
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