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PMBFJ111分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

PMBFJ111
廠商型號

PMBFJ111

參數(shù)屬性

PMBFJ111 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 23:00:00

PMBFJ111規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PMBFJ111,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    散裝

  • FET 類型:

    N 通道

  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):

    6pF @ 10V(VGS)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23(TO-236AB)

  • 描述:

    JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
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