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PMDPB58UPE

Marking：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMDPB58UPE

20 V dual P-channel Trench MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMDPB58UPE_15

20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多PMDPB58UPE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 14:42:00

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