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PMDT290UNE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMDT290UNE
廠商型號

PMDT290UNE

功能描述

20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

AE

封裝外殼

SOT666

文件大小

270.54 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 20:00:00

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PMDT290UNE規(guī)格書詳情

1. General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead

SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ESD protection up to 2 kV

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PMDT290UNE

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET N CH DUAL 20V 800MA SOT666

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, DUAL, 20V, 800MA, SOT666

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, DUAL, 20V, 800MA, SOT666, Transistor

  • Polarity:

    Dual N Channel, Cont

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
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SOT-666
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