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PMEG3010EGW-Q

Marking：GD；Package：SOD123；30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotectionencapsulatedina smallSOD123Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Forwardcurrent:IF≤1A ?Reversevoltage:VR≤30V ?Lowforwardvoltage

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMEG3010EH

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMEG3010EH

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMEG3010EH

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierswithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinsmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackages. 1.2Features nForwardcurrent:IF￡1A nReversevoltage:VR￡

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMEG3010EJ

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMEG3010EJ

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMEG3010EJ

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMEG3010EJ

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierswithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinsmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackages. 1.2Features nForwardcurrent:IF￡1A nReversevoltage:VR￡

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMEG3010EP

1AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMEG3010EP

30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A ?Reversevoltage:VR≤3

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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NEXPERIA/安世
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原裝正品，支持實(shí)單
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更多PMEG3010EGW-Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00

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