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PMGD400UN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PMGD400UN
廠商型號(hào)

PMGD400UN

功能描述

Dual N-channel mTrenchMOS? ultra low level FET

文件大小

213.32 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 20:00:00

PMGD400UN規(guī)格書(shū)詳情

1.1 Description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS? technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Surface mounted package n Footprint 40 smaller than SOT23

n Dual device n Fast switching

n Low on-state resistance n Low threshold voltage.

n Driver circuits n Switching in portable appliances.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PMGD400UN

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET NN CH 30V 0.71A SOT363

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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