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PMH550UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PMH550UPE
廠(chǎng)商型號(hào)

PMH550UPE

功能描述

20 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

0001

封裝外殼

SOT8001

文件大小

274.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NEXPERIA安世

中文名稱(chēng)

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-4 11:06:00

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PMH550UPE規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3

(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection up to 1.8 kV HBM

? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 0.62 × 0.62 × 0.37 mm

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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