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PMT200EPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMT200EPE
廠商型號

PMT200EPE

功能描述

70 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

T2EPE

封裝外殼

SOT223

文件大小

290.7 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-24 8:14:00

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PMT200EPE規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic level compatible

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
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