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PMT200EPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PMT200EPE
廠商型號(hào)

PMT200EPE

功能描述

70 V, P-channel Trench MOSFET

文件大小

290.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 11:30:00

PMT200EPE規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic level compatible

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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