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PMV19XNEA中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMV19XNEA
廠商型號

PMV19XNEA

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

3404B

封裝外殼

SOT-23

文件大小

2.52751 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LEIDITECH雷卯電子

中文名稱

上海雷卯電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 16:42:00

PMV19XNEA規(guī)格書詳情

Description

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

The uses advanced trench technology PMV19XNEA

General Features

VDS = 30V ID =4.2A

RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=10V

Application

Lithium battery protection Wireless impact

Mobile phone fast charging

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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NXP
SOT23
699839
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22+
SOT-23
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原裝正品
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SOT23-3
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