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PMV60ENEA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PMV60ENEA
廠商型號(hào)

PMV60ENEA

功能描述

40 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

HR

封裝外殼

TO-236AB

文件大小

272.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NEXPERIA安世

中文名稱(chēng)

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 23:00:00

PMV60ENEA規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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SOT23
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