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PMZB290UNE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMZB290UNE
廠商型號

PMZB290UNE

功能描述

20 V, single N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

0000

封裝外殼

SOT883B

文件大小

1.55927 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 20:00:00

PMZB290UNE規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Very fast switching

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? ESD protection up to 2 kV

? Ultra thin package profile of 0.37mm

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PMZB290UNE

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B

  • 功能描述:

    MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    1A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    20V; On Resistance

  • Rds(on):

    0.29ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    4.5V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    750mV; No. of

  • Pins:

    3;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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