PMZB350UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PMZB350UPE
功能描述	20 V, single P-channel Trench MOSFET
絲印標識	0100
封裝外殼	SOT883B
文件大小	701 Kbytes
頁面數(shù)量	14 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-3-30 23:00:00
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1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 1.8 kV ESD protected

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side loadswitch

? Switching circuits

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