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PN2955	文件：1.00887 Mbytes Page：2 Pages	Atomic EFI Install Kit LS1 and LS6, EV1 Injector	MALLORYMallory Sonalert Products Inc. 馬洛里	MALLORY
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SFI2955	文件：274.71 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SFP2955	文件：280.7 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SFP2955	文件：250.57 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■175oCOperetingTemperature ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:-10mA(Max.)@VDS=-60V ■LowRDS(ON):0.22Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFR/U2955	文件：261.7 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ■LowerRDS(ON):0.22Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFR2955	文件：261.7 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ■LowerRDS(ON):0.22Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFR2955	文件：321.28 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SFR2955TF	文件：913.34 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
SFR2955TM	文件：959.59 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
SFRU2955	文件：260.1 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFRU2955	文件：261.7 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ■LowerRDS(ON):0.22Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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SPX2955	文件：184.72 Kbytes Page：9 Pages	350mALowDropOutVoltageRegulatorwithShutdown PRODUCTDESCRIPTION TheSPX2955/56/57isalowpowervoltageregulator.Thisdeviceisanexcellentchoiceforuseinbattery-poweredapplicationssuchascordlesstelephones,radiocontrolsystems,andportablecomputers.TheSPX2955/56/57featuresverylowquiescentcurrent(100μATyp.)andver	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
T2955V	文件：1.00628 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TGF2955	文件：1.5181 Mbytes Page：19 Pages	40WattDiscretePowerGaNonSiCHEMT	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint

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更多PN2955供應(yīng)商更新時間2024-12-27 14:00:00

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