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PR6002-T

6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL

DIODES

Diodes Incorporated

PR6002-T

6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

DIODES

Diodes Incorporated

PR6002-T

Package：R-6，軸向；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 6A R6

PAM

Diodes Incorporated

PSEK6002

FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

POWERSEM

Powersem GmbH,

PTC6002

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R6002END

Nch600V2APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6002END

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

R6002ENH

Nch600V2APowerMOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PR6002-T

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    6A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    140pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    R-6，軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    R-6

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 6A R6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DIODESINC
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原廠封裝
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振宏微原裝正品,假一罰百
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正規(guī)代理渠道假一賠十
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原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
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更多PR6002-T供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 17:00:00

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