供應隨機存儲器IS61NLP25618A-200TQLI

原廠料號：IS61NLP25618A-200TQLI品牌：ISSI

IS61NLP12832A IS61NLP12836A / IS61NVP12836A IS61NLP25618A / IS61NVP25618A特性

存儲器IS61NLP25618A-200TQLI 100%總線利用率之間沒有等待周期讀寫內部山頂?shù)膶懼芷诖鎯ζ鱅S61NLP25618A-200TQLI 單個字節(jié)寫控制單一R / W(讀/寫)控制銷時鐘控制,注冊地址、數(shù)據(jù)和控制交叉或線性破裂順序控制使用模式輸入三個芯片使簡單的深度發(fā)展和解決流水線斷電模式通用數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出CKE銷,使時鐘和停止作業(yè)100 -銷TQFP電平,·電源:NVP: VDD 2.5V(±5%)，VDDQ 2.5V(±5%)NLP: VDD 3.3V(±5%)，VDDQ 3.3V/2.5V(±5%描述存儲器IS61NLP25618A-200TQLI

4 Meg NLP/NVP系列產品具有高速、存儲器IS61NLP25618A-200TQLI 低功耗同步靜態(tài)ram，旨在為網(wǎng)絡和通信應用程序提供一個穩(wěn)定、高性能、無等待狀態(tài)的設備。它們由32位128K字、36位128K字和18位256K字組成，采用ISSI先進的CMOS技術制造。結合“不等待”狀態(tài)特性，當總線從讀切換到寫或從寫切換到讀時，將消除等待周期。該裝置集成了一個2位突發(fā)計數(shù)器，高速SRAM核心，高驅動能力輸出到一個單一的單片機。所有通過寄存器的同步輸入都由一個正邊觸發(fā)的單時鐘輸入控制。當時鐘啟用時，可能會掛起操作并忽略所有同步輸入，CKE值很高。在這種狀態(tài)下，內部設備將保存它們以前的值。所有讀、寫和取消選擇循環(huán)都由ADV輸入發(fā)起。當ADV高時，內部突發(fā)計數(shù)器增加。新的外部地址可以加載時，ADV低。寫周期在內部是自動計時的，它是由時鐘輸入的上升沿和我們處于低電平時啟動的。單獨的字節(jié)允許寫入單獨的字節(jié)。突發(fā)模式pin (mode)定義突發(fā)序列的順序。當系高時，選擇交錯爆破序列。當綁定較低時，選擇線性突發(fā)序列。

• 芯片型號：

  IS61NLP25618A-200TQLI

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  ISSI【北京矽成】詳情

• 廠商全稱：

  Integrated Silicon Solution Inc

• 中文名稱：

  北京矽成半導體有限公司

• 內容頁數(shù)：

  29 頁

• 文件大小：

  528.09 kb

• 資料說明：

  128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM