IGBT模塊,場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊價(jià)格,場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊批發(fā),場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊報(bào)價(jià)"> IGBT模塊頻道第6頁(yè)為您提供場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊供應(yīng)商貨源場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊批發(fā)價(jià)格信息，展示場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊生產(chǎn)商型號(hào)庫(kù)存數(shù)量廠家封裝批號(hào)說(shuō)明貨期品質(zhì)優(yōu)勢(shì)和場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊參數(shù)封裝尺寸圖片信息">

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CSP25R12H61200V25A
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詳情場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場(chǎng)終止工藝 低開(kāi)關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 變頻器 伺服 逆變器 VCES=1200V，ICnom=25A/ICRM=50A PIM IGBT Module 半導(dǎo)體激光器模塊

CSP40R12G61200V40A
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CSP15R12F61200V15A
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CSF300R12E6H1200V300A
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詳情場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場(chǎng)終止工藝 低開(kāi)關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 逆變焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用 逆變器 VCES=1200V，ICnom=300A/ICRM=600A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半橋 IGBT 模塊

CSF200R07A6650V200A
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詳情場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 650V溝槽柵/場(chǎng)終止工藝 低Vcesat 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 電機(jī)驅(qū)動(dòng)變頻器 不間斷電源 VCES=650V，ICnom=200A/ICRM=400A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CSF200R12E61200V200A
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CSF150R12A6H1200V150A
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CSF150R17E61700V150A
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CSF100R12A6H1200V100A
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詳情場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場(chǎng)終止工藝 低開(kāi)關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 逆變焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用 逆變器 VCES=1200V，ICnom=100A/ICRM=200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊