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PSC1065B1中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PSC1065B1
廠商型號(hào)

PSC1065B1

功能描述

650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die

文件大小

202.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 20:00:00

PSC1065B1規(guī)格書(shū)詳情

General description

Nexperia introduces leading edge Silicon Carbide (SiC) Schottky diode for ultra-high performance,

low loss, high efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode

delivered as bare die in Tape and Reel (T & R) offers temperature independent capacitive turnoff, zero recovery switching behavior combined with an outstanding figure-of-merit (QC x VF) and

improves the robustness expressed in a high IFSM.

Features and benefits

? Zero forward and reverse recovery

? Temperature independent fast and smooth switching performance

? Outstanding figure-of-merit (Qc

x VF)

? High IFSM capability

? High power density

? Reduced system costs

? System miniaturization

? Reduced EMI

Applications

? Switch Mode Power Supply (SMPS)

? AC-DC and DC-DC converter

? Battery charging infrastructure

? Server and telecom power supply

? Uninterruptible Power Supply (UPS)

? Photovoltaic inverters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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