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PSMN009-100P中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN009-100P
廠商型號

PSMN009-100P

功能描述

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

文件大小

776.73 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-8 16:52:00

PSMN009-100P規(guī)格書詳情

1.1 General description

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in

a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

? Low conduction losses due to low

on-state resistance

? Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

? High frequency computer motherboard

DC-to-DC convertors

? OR-ing applicationss

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN009-100P

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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