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PSMN015-110P

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PSMN015-110P

TrenchMOS Standard level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PSMN015-110P

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PSMN015-110P

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP/恩智浦
2105+
TO-220
10053
詢價(jià)
NXP/恩智浦
18+
TO220
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NXP/恩智浦
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NA
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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更多PSMN015-110P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 10:32:00