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PSMN1R4-30YLD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
PSMN1R4-30YLD |
參數(shù)屬性 | PSMN1R4-30YLD 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè);產(chǎn)品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY |
功能描述 | N-channel 30 V, 1.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology |
文件大小 |
728.36 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-16 22:59:00 |
PSMN1R4-30YLD規(guī)格書詳情
PSMN1R4-30YLD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司制造生產(chǎn)的PSMN1R4-30YLD晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PSMN1R4-30YLD/1X
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
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詢價(jià) | ||
Nexperia(安世) |
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SOT669 |
6000 |
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NEXPERIA |
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LFPAK-56-5 |
21000 |
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21+ |
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NEXPERIA |
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