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PSMN1R4-30YLD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PSMN1R4-30YLD
廠商型號(hào)

PSMN1R4-30YLD

參數(shù)屬性

PSMN1R4-30YLD 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè);產(chǎn)品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY

功能描述

N-channel 30 V, 1.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
DIODE ARRAY SCHOTTKY

文件大小

728.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

PSMN1R4-30YLD規(guī)格書詳情

PSMN1R4-30YLD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司制造生產(chǎn)的PSMN1R4-30YLD晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PSMN1R4-30YLD/1X

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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