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PSMN2R0-30YL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN2R0-30YL
廠商型號

PSMN2R0-30YL

功能描述

N-channel 30 V 2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK

文件大小

828.81 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-16 22:59:00

PSMN2R0-30YL規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

DC-to-DC converters

Motor control

Server power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN2R0-30YL

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET N CH 30V 100A SOT669

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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