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PSMN4R2-60PL

N-channel60V,3.9mΩlogiclevelMOSFETinSOT78

1.Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Productdesign andmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits ?Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses ?Robustconstructionfordem

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN4R2-60PL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PSMN4R2-60PL

N-channel60V,3.9m廓logiclevelMOSFETinSOT78

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PSMN4R2-60PLQ

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PSMN4R2-60PLQ供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 17:45:00

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