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PSMN4R8-100PSE

Marking：PSMN4R8-100PSE；Package：TO-220AB；N-channel 100 V 5 m廓 standard level MOSFET with improved SOA in TO220 package

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN4R8-100PSE_15

N-channel 100 V 5 m廓 standard level MOSFET with improved SOA in TO220 package

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PSMN4R8-100BSE

N-channel100V4.8m廓standardlevelMOSFETinD2PAK

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN4R8-100BSEJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PSMN4R8-100YSE

N-channel100V,4.8mOhmMOSFETwithenhancedSOAinLFPAK56E

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaLFPAK56Epackagequalifiedto175°C.Partof Nexperia'sASFETsforhotswapportfolio,thePSMN4R8-100YSEdeliversverylowRDSonanda verystronglinear-mode(SOA)performanceinahigh-reliabilitycopper-clipLFPAK56Epackage. PS

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多PSMN4R8-100PSE供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 17:36:00

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